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BFP720ESDH6327XTSA1 Spécifications techniques

TRANS RF NPN 43GHZ 4.7V SOT343

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors RF BJT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-82A, SOT-343
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2010
Part Status Active
Number of Terminations 4
Max Power Dissipation 100mW
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G4
Configuration SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 4.2V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 15mA 3V
Gain 11dB ~ 30.5dB
Max Breakdown Voltage 4.7V
Collector Base Voltage (VCBO) 4.9V
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON GERMANIUM CARBON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Base Part Number BFP720
Number of Elements 1
Power Dissipation 100mW
Halogen Free Halogen Free
Transistor Type NPN
Max Collector Current 30mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 4.7V
Transition Frequency 43000MHz
Frequency - Transition 43GHz
Highest Frequency Band X B
RoHS Status ROHS3 Compliant
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