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BFR193FH6327XTSA1 Spécifications techniques

TRANS RF NPN 12V 80MA TSFP-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors RF BJT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-723
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 580mW
Terminal Form FLAT
Frequency 8GHz
Base Part Number BFR193
Configuration SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA 8V
Gain 12.5dB
Max Breakdown Voltage 12V
Emitter Base Voltage (VEBO) 2V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature LOW NOISE
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation 580mW
Halogen Free Halogen Free
Transistor Type NPN
Max Collector Current 80mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Transition Frequency 8000MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 20V
Noise Figure (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Lead Free Lead Free
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