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BFR843EL3E6327XTSA1
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BFR843EL3E6327XTSA1 Spécifications techniques
The BFR843EL3 is a robust low noise broadband pre-matched bipolar RF transistor.
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors RF BJT |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2013 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Gold (Au) |
Terminal Position | BOTTOM |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | EMITTER |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 2.25V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 2.6V |
Max Breakdown Voltage | 2.6V |
Highest Frequency Band | X B |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 3-XFDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e4 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 125mW |
Terminal Form | NO LEAD |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Configuration | SINGLE |
Power - Max | 125mW |
Halogen Free | Halogen Free |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 55mA |
Gain | 25.5dB |
Collector Base Voltage (VCBO) | 2.9V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
BFR843EL3E6327XTSA1 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2732 |
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Infineon Technologies | Transistors RF BJT | |
BFR843EL3 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 205326 |
BFR843EL3E6327XTSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 10000 |
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