BFS483H6327XTSA1 Spécifications techniques

Trans GP BJT NPN 12V 0.065A 6-Pin SOT-363 T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors RF BJT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 450mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Reference Standard AEC-Q101
Polarity NPN
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Max Collector Current 65mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Transition Frequency 8000MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 20V
Collector-Base Capacitance-Max 0.54pF
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 6
Additional Feature LOW NOISE
Terminal Form GULL WING
Frequency 8GHz
Base Part Number BFS483
Number of Elements 2
Power Dissipation 450mW
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 15mA 8V
Gain 19dB
Max Breakdown Voltage 12V
Emitter Base Voltage (VEBO) 2V
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Lead Free Lead Free
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