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BG 3230 E6327
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BG 3230 E6327 Spécifications techniques
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET RF |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
Voltage - Rated | 8V |
Current Rating (Amps) | 25mA |
Frequency | 800MHz |
Configuration | Single |
Transistor Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 0.025A |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.2W |
Voltage - Test | 5V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Surface Mount | YES |
Published | 2005 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Reach Compliance Code | unknown |
Operating Temperature (Max) | 150°C |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Gain | 24dB |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Noise Figure | 1.3dB |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
BG 3230 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - RF | 2651 |
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