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BG3130H6327XTSA1
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BG3130H6327XTSA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET RF |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Published | 2007 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 6 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Voltage - Rated | 8V |
Max Power Dissipation | 200mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Frequency | 800MHz |
Base Part Number | BG3130 |
Operating Mode | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Type | 2 N-Channel (Dual) |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 6V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Voltage - Test | 5V |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Min Operating Temperature | -55°C |
Additional Feature | LOW NOISE |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 25mA |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Current - Test | 14mA |
Halogen Free | Halogen Free |
Continuous Drain Current (ID) | 25mA |
Gain | 24dB |
Noise Figure | 1.3dB |
RoHS Status | RoHS Compliant |
BG3130H6327XTSA1 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
BG3130 | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 28687 |
BG3130 E6327 | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 9165 |
BG3130 E6327 IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 3441 |
BG3130 H6327 | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 25350 |
BG3130E6327 | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 74974 |
BG3130E6327HTSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - RF | 2673 |
BG3130E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET RF | |
BG3130H6327 | INFONEO | Circuits intégrés spécialisés | 6000 |
BG3130H6327XTSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - RF | 2723 |
BG3130H6327XTSA1 | Rochester Electronics, LLC | Transistors MOSFET RF |
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