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BSB015N04NX3GXUMA1
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BSB015N04NX3GXUMA1 Spécifications techniques
Trans MOSFET N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 3-WDSON |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2011 |
JESD-609 Code | e4 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Terminal Position | BOTTOM |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5m Ω @ 30A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A Ta 180A Tc |
Rise Time | 6.4ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 180A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Silver |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | NO LEAD |
JESD-30 Code | R-MBCC-N3 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.8W Ta 89W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 142nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 35A |
Max Dual Supply Voltage | 40V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0015Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 290 mJ |
Lead Free | Lead Free |
BSB015N04NX3GXUMA1 Documents
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Feuilles de données
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