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BSB056N10NN3GXUMA1
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BSB056N10NN3GXUMA1 Spécifications techniques
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 7-Pin WDSON
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 3-WDSON |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | BOTTOM |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.8W Ta 78W Tc |
Power Dissipation | 2.8W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6m Ω @ 30A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A Ta 83A Tc |
Rise Time | 9ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Threshold Voltage | 2.7V |
Max Dual Supply Voltage | 100V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0056Ohm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Silver |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2011 |
JESD-609 Code | e4 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Pin Count | 3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 9A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 9A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 450 mJ |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
BSB056N10NN3GXUMA1 Documents
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Feuilles de données
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