BSB056N10NN3GXUMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 7-Pin WDSON

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 3-WDSON
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Terminal Position BOTTOM
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 78W Tc
Power Dissipation 2.8W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6m Ω @ 30A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A Ta 83A Tc
Rise Time 9ns
Vgs (Max) ±20V
Threshold Voltage 2.7V
Max Dual Supply Voltage 100V
Drain-source On Resistance-Max 0.0056Ohm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Silver
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 100μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Continuous Drain Current (ID) 9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9A
Avalanche Energy Rating (Eas) 450 mJ
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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