BSC009NE2LS5ATMA1 Spécifications techniques

BSC009NE2LS5ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 19 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Max Dual Supply Voltage 25V
Drain-source On Resistance-Max 0.00125Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 90 mJ
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 74W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.9m Ω @ 30A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 41A Ta 100A Tc
Rise Time 33ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 41A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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