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BSC027N06LS5ATMA1
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BSC027N06LS5ATMA1 Spécifications techniques
BSC027N06LS5ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7m Ω @ 50A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 23A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 100 mJ |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 83W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 49μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0027Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 60V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Feuilles de données
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