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BSC028N06LS3GATMA1 Spécifications techniques

BSC028N06LS3GATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 139W Tc
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 19 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 93μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 175nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Turn-Off Delay Time 77 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Radiation Hardening No
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position DUAL
Pin Count 8
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8m Ω @ 50A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A Ta 100A Tc
Rise Time 17ns
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 23A
Max Dual Supply Voltage 60V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
Height 1.1mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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