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BSC070N10NS5ATMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 50μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 6 ns
Continuous Drain Current (ID) 14A
Max Dual Supply Voltage 100V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 55 mJ
Height 1.1mm
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Weight 506.605978mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 83W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7m Ω @ 40A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Rise Time 5ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.007Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 320A
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
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