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BSC079N10NSGATMA1
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BSC079N10NSGATMA1 Spécifications techniques
Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2011 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 5 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 156W Tc |
Power Dissipation | 156W |
Turn On Delay Time | 24 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 110μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5900pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 11 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 13.4A |
Max Dual Supply Voltage | 100V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 8 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9m Ω @ 50A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.4A Ta 100A Tc |
Rise Time | 40ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 38 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0079Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 377 mJ |
Lead Free | Contains Lead |
BSC079N10NSGATMA1 Documents
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Feuilles de données
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