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BSC0909NSATMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 39 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 27W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2m Ω @ 20A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Ta 44A Tc
Rise Time 4.4ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5.4 ns
Continuous Drain Current (ID) 44A
Max Dual Supply Voltage 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.0091Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 10 mJ
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9.6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 34V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 8.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 12A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 176A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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