BSC098N10NS5ATMA1 Spécifications techniques

BSC098N10NS5ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 69W Tc
Power Dissipation 69W
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 36μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Turn-Off Delay Time 17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 30 mJ
Height 1.1mm
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.8m Ω @ 30A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A Tc
Rise Time 5ns
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 11A
Max Dual Supply Voltage 100V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 240A
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
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