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BSC110N15NS5ATMA1 Spécifications techniques

BSC110N15NS5ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 125W Tc
Turn On Delay Time 10.3 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 38A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2770pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 8V 10V
Turn-Off Delay Time 14.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Height 1.1mm
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PG-TDSON-8-7
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Number of Channels 1
Power Dissipation 125W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.6V @ 91μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 76A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 76A
Drain to Source Breakdown Voltage 150V
Drain to Source Resistance 9mOhm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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BSC110N15NS5ATMA1 fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, BSC110N15NS5ATMA1 prix de référence. BSC110N15NS5ATMA1 paramètres, BSC110N15NS5ATMA1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le BSC110N15NS5ATMA1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver BSC110N15NS5ATMA1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, BSC110N15NS5ATMA1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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