BSC750N10NDGATMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin TDSON

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form FLAT
Pin Count 8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75m Ω @ 13A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A
Rise Time 4ns
Continuous Drain Current (ID) 13A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.075Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 17 mJ
FET Feature Standard
Radiation Hardening No
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Additional Feature AVALANCHE RATED
Base Part Number BSC750N10
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Number of Channels 2
Power Dissipation 26W
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 12μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Turn-Off Delay Time 13 ns
Threshold Voltage 3V
Max Dual Supply Voltage 100V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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