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BSF083N03LQ G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2009
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
Reach Compliance Code compliant
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 13A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 212A
Avalanche Energy Rating (Eas) 30 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 3-WDSON
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish MATTE TIN
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position BOTTOM
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
JESD-30 Code R-MBCC-N3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.2W Ta 36W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A Ta 53A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0142Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
RoHS Status RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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BSF083N03LQG INF Circuits intégrés spécialisés 213000
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