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BSL303SPEH6327XTSA1 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33m Ω @ 6.3A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.3A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Max Dual Supply Voltage -30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 25.2A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Additional Feature AVALANCHE RATED
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2W Ta
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 30μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1401pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.9nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 6.3A
Drain-source On Resistance-Max 0.033Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 30 mJ
Lead Free Lead Free
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