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BSL806NH6327XTSA1
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BSL806NH6327XTSA1 Spécifications techniques
MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Power - Max | 500mW |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57m Ω @ 2.3A, 2.5V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A Ta |
Max Dual Supply Voltage | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.057Ohm |
FET Feature | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 11μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 259pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 2.3A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
BSL806NH6327XTSA1 Documents
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Feuilles de données
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