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BSL806NL6327HTSA1
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BSL806NL6327HTSA1 Spécifications techniques
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP T/R
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 500mW |
Base Part Number | BSL806 |
JESD-30 Code | R-PDSO-G6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Turn On Delay Time | 7.5 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57m Ω @ 2.3A, 2.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 259pF @ 10V |
Rise Time | 9.9ns |
Fall Time (Typ) | 3.7 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 2.3A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.057Ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 28.6 pF |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 6 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Terminal Form | GULL WING |
Pin Count | 6 |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 11μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Turn-Off Delay Time | 12 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
DS Breakdown Voltage-Min | 20V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Radiation Hardening | No |
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Feuilles de données
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