BSL806NL6327HTSA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 500mW
Base Part Number BSL806
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Turn On Delay Time 7.5 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57m Ω @ 2.3A, 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 259pF @ 10V
Rise Time 9.9ns
Fall Time (Typ) 3.7 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.3A
Drain-source On Resistance-Max 0.057Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 28.6 pF
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Additional Feature AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Form GULL WING
Pin Count 6
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 750mV @ 11μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.7nC @ 2.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Turn-Off Delay Time 12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
DS Breakdown Voltage-Min 20V
FET Feature Logic Level Gate
Radiation Hardening No
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