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BSM150GB120DLCHOSA1 Spécifications techniques

IGBT MOD 1200V 300A 1250W

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 300A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 150A
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 7
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Configuration Half Bridge
Power - Max 1250W
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 190 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 650 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 11nF @ 25V
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