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BSM200GA120DN2HOSA1 Spécifications techniques

IGBT MOD 1200V 300A 1550W

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature 150°C TJ
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X5
Configuration Single Switch
Power - Max 1550W
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 210 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 630 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 13nF @ 25V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 1998
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 5
Terminal Position UPPER
Pin Count 5
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 4mA
Current - Collector (Ic) (Max) 300A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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