BSM30GD60DLCE3224 Spécifications techniques

IGBT Modules N-CH 600V 40A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2000
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Pin Count 17
Configuration Single
Case Connection ISOLATED
Input Standard
Max Collector Current 40A
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Turn On Time 39 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 103 ns
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.3nF @ 25V
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 17
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Obsolete
Number of Terminations 17
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 6
Power Dissipation 135W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Current - Collector Cutoff (Max) 500μA
Collector Emitter Saturation Voltage 1.95V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A
IGBT Type NPT
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
VCEsat-Max 2.45 V
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