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BSM30GP60BOSA1 Spécifications techniques

IGBT MODULE 600V 50A 180W

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X24
Number of Elements 7
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Three Phase Bridge Rectifier
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Turn On Time 105 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 315 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.6nF @ 25V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 24
Terminal Position UPPER
Pin Count 24
Qualification Status Not Qualified
Configuration Full Bridge
Power - Max 180W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 300nA
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
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