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BSM35GP120GBOSA1 Spécifications techniques

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 35
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X35
Number of Elements 7
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 500μA
Current - Collector (Ic) (Max) 45A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 35A
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Pin Count 35
Qualification Status Not Qualified
Configuration Full Bridge
Power - Max 230W
Input Three Phase Bridge Rectifier
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 105 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 390 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.5nF @ 25V
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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