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BSM75GAR120DN2HOSA1
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BSM75GAR120DN2HOSA1 Spécifications techniques
IGBT MOD 1200V 30A 235W
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Chassis Mount |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 7 |
Terminal Position | UPPER |
JESD-30 Code | R-XUFM-X7 |
Configuration | Single |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Current - Collector Cutoff (Max) | 400μA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 1nF @ 25V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | Module |
Transistor Element Material | SILICON |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Form | UNSPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 235W |
Input | Standard |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
NTC Thermistor | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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