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BSM75GB170DN2HOSA1
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BSM75GB170DN2HOSA1 Spécifications techniques
IGBT 1700V 110A 625W MODULE
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Chassis Mount, Screw |
Package / Case | Module |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 1999 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 7 |
Max Power Dissipation | 625W |
Terminal Form | UNSPECIFIED |
JESD-30 Code | R-XUFM-X7 |
Configuration | Half Bridge |
Case Connection | ISOLATED |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 3.9V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 1.7kV |
Input Capacitance | 11nF |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
NTC Thermistor | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Chassis Mount |
Number of Pins | 34 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | UPPER |
Pin Count | 7 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Power - Max | 625W |
Halogen Free | Not Halogen Free |
Input | Standard |
Max Collector Current | 110A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Turn On Time | 550 ns |
Turn Off Time-Nom (toff) | 740 ns |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Lead Free | Lead Free |
BSM75GB170DN2HOSA1 Documents
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Feuilles de données
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