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BSO200P03SHXUMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO Dry

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20m Ω @ 9.1A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A Ta
Rise Time 11ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 7.4A
Max Dual Supply Voltage -30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 36.4A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1.56W Ta
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 100μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2330pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±25V
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Drain-source On Resistance-Max 0.02Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 98 mJ
Lead Free Lead Free
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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