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BSO203PNTMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET P-CH 20V 8.2A 8-Pin DSO

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2W
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21m Ω @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2242pF @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.021Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 97 mJ
FET Feature Logic Level Gate
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2002
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
Terminal Form GULL WING
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 2W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48.6nC @ 4.5V
Continuous Drain Current (ID) 8.2A
DS Breakdown Voltage-Min 20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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