BSO207PHXUMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 8-Pin DSO Dry

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 1.6W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45m Ω @ 5.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 22.8A
Avalanche Energy Rating (Eas) 44 mJ
FET Feature Logic Level Gate
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Base Part Number BSO207
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 44μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.045Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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