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BSO303PNTMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET P-CH 30V 8.2A 8-Pin DSO

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2W
Number of Elements 2
Power Dissipation 2W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21m Ω @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1761pF @ 25V
Rise Time 12.9ns
Fall Time (Typ) 39.3 ns
Continuous Drain Current (ID) 8.2A
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Additional Feature AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Form GULL WING
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10.6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 55.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 97 mJ
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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