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BSO303SPNTMA1 Spécifications techniques

MOSFET Dual P-Channel -30V MOSFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2002
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Additional Feature AVALANCHE RATED,LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.35W Ta
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21m Ω @ 8.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1754pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 8.9A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 35.6A
Avalanche Energy Rating (Eas) 97 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.9A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.021Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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