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BSP298H6327XUSA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 400V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Packaging Cut Tape (CT)
Series SIPMOS®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Max Operating Temperature 150°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 1.8W Ta
Power Dissipation 1.8W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
Rise Time 25ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 20 ns
Continuous Drain Current (ID) 500mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 400V
Input Capacitance 400pF
Rds On Max 3 Ω
Height 1.6mm
Width 6.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Last Time Buy
Termination SMD/SMT
Min Operating Temperature -55°C
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 30 ns
Threshold Voltage 3V
Max Dual Supply Voltage 400V
Dual Supply Voltage 400V
Drain to Source Resistance 2.2Ohm
Nominal Vgs 3 V
Length 6.5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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