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BSP299H6327XUSA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
JESD-609 Code e3
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 4
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.5W
Turn On Delay Time 8 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ω @ 400mA, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 30 ns
Continuous Drain Current (ID) 400mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 4Ohm
Nominal Vgs 3 V
Length 6.5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series SIPMOS®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Terminal Position DUAL
Pin Count 4
Power Dissipation-Max 1.8W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
Rise Time 15ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 55 ns
Threshold Voltage 3V
Max Dual Supply Voltage 500V
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
Height 1.6mm
Width 3.5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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