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BSR802NL6327HTSA1
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BSR802NL6327HTSA1 Spécifications techniques
BSR802NL6327HTSA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23m Ω @ 3.7A, 2.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1447pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 2.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 1.8V 2.5V |
Continuous Drain Current (ID) | 3.7A |
Max Dual Supply Voltage | 20V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2011 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 500mW Ta |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 30μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A Ta |
Rise Time | 18ns |
Vgs (Max) | ±8V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 2.9A |
BSR802NL6327HTSA1 Documents
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Feuilles de données
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