BSS123NH6327XTSA1 Spécifications techniques

BSS123NH6327XTSA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 500mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 2.3 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ω @ 190mA, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 190mA Ta
Rise Time 3.2ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 7.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 6Ohm
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Length 2.9mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 3
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 500mW
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 13μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20.9pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 22 ns
Continuous Drain Current (ID) 190mA
Max Dual Supply Voltage 100V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Height 1.1mm
Width 1.3mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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