BSS127H6327XTSA2 Spécifications techniques

BSS127H6327XTSA2 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series SIPMOS®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 500mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 6.1 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ω @ 16mA, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21mA Ta
Rise Time 9.7ns
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 21mA
Max Dual Supply Voltage 600V
Height 1mm
Width 1.3mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 500mW
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 8μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 28pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Turn-Off Delay Time 14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 600Ohm
Length 2.9mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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