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BSS159NH6906XTSA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
HTS Code 8541.21.00.95
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 360mW Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ω @ 160mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 44pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Feature Depletion Mode
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series SIPMOS®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 26μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 230mA Ta
Rise Time 2.9ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 0V 10V
Continuous Drain Current (ID) 230mA
DS Breakdown Voltage-Min 60V
Feedback Cap-Max (Crss) 5.9 pF
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