BSS214NH6327XTSA1 Spécifications techniques

BSS214NH6327XTSA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.7μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Continuous Drain Current (ID) 1.5A
Max Dual Supply Voltage 20V
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 500mW Ta
Power Dissipation 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140m Ω @ 1.5A, 4.5V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A Ta
Rise Time 7.8ns
Vgs (Max) ±12V
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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