BSZ019N03LSATMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code S-PDSO-N3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.1W Ta 69W Tc
Power Dissipation 69W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Threshold Voltage 2V
Drain-source On Resistance-Max 0.0025Ohm
REACH SVHC No SVHC
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A Ta . 40A Tc
Rise Time 6.8ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 22A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
DS Breakdown Voltage-Min 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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