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BSZ0506NSATMA1
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BSZ0506NSATMA1 Spécifications techniques
BSZ0506NSATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | NO LEAD |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | S-PDSO-N3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4m Ω @ 20A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A Ta 40A Tc |
Rise Time | 2.4ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 15A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 160A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.1W Ta 27W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 40A |
Max Dual Supply Voltage | 30V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0053Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 20 mJ |
Lead Free | Contains Lead |
BSZ0506NSATMA1 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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BSZ0500NSIATMA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
BSZ0501NS | INFINEON | Circuits intégrés spécialisés | 2513 |
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BSZ0501NSIATMA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
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