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BSZ050N03LSGATMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 5
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 16A
Max Dual Supply Voltage 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 70 mJ
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-N5
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.1W Ta 50W Tc
Power Dissipation 50W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5m Ω @ 20A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A Ta 40A Tc
Rise Time 4ns
Vgs (Max) ±20V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 40A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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