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BSZ0589NSATMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CHANNEL 30V 17A 8TDSON

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code S-PDSO-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4m Ω @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 17A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 68A
Avalanche Energy Rating (Eas) 20 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.1W Ta
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0053Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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