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BSZ0904NSIATMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 8
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.1W Ta 37W Tc
Power Dissipation 2.1W
Turn On Delay Time 3.3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1463pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 3 ns
Continuous Drain Current (ID) 18A
Max Dual Supply Voltage 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.0057Ohm
FET Feature Schottky Diode (Body)
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Powers
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4m Ω @ 30A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A Ta 40A Tc
Rise Time 4.4ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 40A
Avalanche Energy Rating (Eas) 20 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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