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BSZ0910NDXTMA1 Spécifications techniques

DIFFERENTIATED MOSFETS

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Package / Case 8-PowerVDFN
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power - Max 1.9W Ta 31W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5m Ω @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate, 4.5V Drive
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A Ta 25A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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