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BSZ099N06LS5ATMA1
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BSZ099N06LS5ATMA1 Spécifications techniques
BSZ099N06LS5ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Operating Temperature (Min) | -55°C |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Case Connection | DRAIN |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0099Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 60V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | NO LEAD |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | S-PDSO-N3 |
Number of Elements | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Transistor Application | SWITCHING |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 11A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 160A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 19 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
BSZ099N06LS5ATMA1 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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BSZ0901NS IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 10432 |
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