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BSZ100N06NSATMA1 Spécifications techniques

BSZ100N06NSATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-FL
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Power Dissipation-Max 2.1W Ta 36W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A Tc
Rise Time 2ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Continuous Drain Current (ID) 40A
Max Dual Supply Voltage 60V
Drain to Source Resistance 8.5mOhm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 14μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1075pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Input Capacitance 1.075nF
Rds On Max 10 mΩ
Lead Free Contains Lead
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BSZ100N06NSATMA1 fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, BSZ100N06NSATMA1 prix de référence. BSZ100N06NSATMA1 paramètres, BSZ100N06NSATMA1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le BSZ100N06NSATMA1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver BSZ100N06NSATMA1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, BSZ100N06NSATMA1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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