BTS244Z E3062A Spécifications techniques

MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 1999
Part Status Obsolete
Number of Terminations 4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code compliant
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 170W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 130μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.018Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 55V
FET Feature Temperature Sensing Diode
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-263-5, D2Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series TEMPFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature AVALANCHE RATED
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G4
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13m Ω @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2660pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 35A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 188A
Avalanche Energy Rating (Eas) 1650 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
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