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BTS244Z E3062A
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BTS244Z E3062A Spécifications techniques
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Published | 1999 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 4 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | compliant |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 170W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.018Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 55V |
FET Feature | Temperature Sensing Diode |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-263-5, D2Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | TEMPFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G4 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13m Ω @ 19A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2660pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 35A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 188A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 1650 mJ |
RoHS Status | RoHS Compliant |
BTS244Z E3062A Documents
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