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DDB2U50N08W1RB23BOMA2
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DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Spécifications techniques
IGBT MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Package / Case | Module |
Transistor Element Material | SILICON |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 9 |
Terminal Position | UPPER |
JESD-30 Code | R-XUFM-X9 |
Configuration | 2 Independent |
Case Connection | ISOLATED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 60A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 100A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Chassis Mount |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Form | UNSPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Transistor Application | SWITCHING |
Input | Standard |
Drain-source On Resistance-Max | 0.2Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 600V |
NTC Thermistor | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Documents
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Feuilles de données
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DDB2U50N08W1RB23BOMA2 fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, DDB2U50N08W1RB23BOMA2 prix de référence. DDB2U50N08W1RB23BOMA2 paramètres, DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver DDB2U50N08W1RB23BOMA2 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, DDB2U50N08W1RB23BOMA2 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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